潮濕的環(huán)境對電容電參數有什么影響

電容在空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。水分還可滲透到電容器介質內部，使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導體性質的氧化銀，使無介質電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。表面絕緣電阻則因無機介質電容器兩電極間介質表面上存在氧化銀半導體而降低。 電容空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外，對于半密封結構電容器來說，水分還可滲透到電容器介質內部，使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。 電容 因此，高溫、高濕環(huán)境對電容器參數惡化的影響極為顯著。經烘干去濕后電容器的電性能可獲改善，但是水分子電解的后果是無法根除的。例如，電容器的工作于高溫條件下，水分子在電場作用下電解為氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-），引線根部產生電化學腐蝕。即使烘干去濕，也不可能使引線復原。 離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導體性質的氧化銀，使無介質電容器的等效串聯(lián)電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。 由于正電極有效面積減小，電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質電容器兩電極間介質表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移嚴重時，兩電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。 綜上所述，銀離子遷移不僅會使非密封無機介質電容器電性能惡化，有可能導致內部短路、高的漏電流、容值損失、ESR值的上升和電路開路。而且可能引起介質擊穿場強下降， 導致電容器擊穿。

熱電阻測量電路常用三線制電橋的原因

目前應用 廣泛的熱電阻材料是鉑和銅：鉑電阻精度高，適用于中性和氧化性介質，穩(wěn)定性好，具有一定的非線性，溫度越高電阻變化率越??；銅電阻在測溫范圍內電阻值和溫度呈線性關系，溫度線數大，適用于無腐蝕介質，超過150易被氧化。中國 常用的有R0=10Ω、R0=100Ω和R0=1000Ω等幾種，它們的分度號分別為Pt10、Pt100、Pt1000；銅電阻有R0=50Ω和R0=100Ω兩種，它們的分度號為Cu50和Cu100。其中Pt100和Cu50的應用 為廣泛。 熱電阻接線方式 熱電阻是把溫度變化轉換為電阻值變化的一次元件，通常需要把電阻信號通過引線傳遞到計算機控制裝置或者其它一次儀表上。工業(yè)用熱電阻安裝在生產現場，與控制室之間存在一定的距離，因此熱電阻的引線對測量結果會有較大的影響。 目前熱電阻的引線主要有三種方式： 二線制：在熱電阻的兩端各連接一根導線來引出電阻信號的方式叫二線制：這種引線方法很簡單，但由于連接導線必然存在引線電阻r，r大小與導線的材質和長度的因素有關，因此這種引線方式只適用于測量精度較低的場合三線制：在熱電阻的根部的一端連接一根引線，另一端連接兩根引線的方式稱為三線制，這種方式通常與電橋配套使用，可以較好的消除引線電阻的影響，是工業(yè)過程控制中的 常用的。 四線制：在熱電阻的根部兩端各連接兩根導線的方式稱為四線制，其中兩根引線為熱電阻提供恒定電流I，把R轉換成電壓信號U，再通過另兩根引線把U引至二次儀表。可見這種引線方式可完全消除引線的電阻影響，主要用于高精度的溫度檢測。 熱電阻采用三線制接法。采用三線制是為了消除連接導線電阻引起的測量誤差。這是因為測量熱電阻的電路一般是不平衡電橋。熱電阻作為電橋的一個橋臂電阻，其連接導線（從熱電阻到中控室）也成為橋臂電阻的一部分，這一部分電阻是未知的且隨環(huán)境溫度變化，造成測量誤差。采用三線制，將導線一根接到電橋的電源端，其余兩根分別接到熱電阻所在的橋臂及與其相鄰的橋臂上，這樣消除了導線線路電阻帶來的測量誤差。